为了确保最高的可靠性,半导体器件的设计应该是为了可靠性。与 DFM(制造设计)和 DFT(测试设计)一样,在 IC 设计过程中嵌入了额外的硅结构,以解决器件的可靠性问题。
将 DUT(被测设备)放入稳定的气候和电子环境中并同时进行测试,其中热信号和电子信号(“自适应应力矩阵”)的充分组合会激发各种故障模式。高级算法通过获取潜在缺陷的特征(例如开始漂移的电值),在潜在故障实际发生故障之前检测到潜在故障。分析来自工程验证和鉴定批次的详细可靠性数据,以优化设计和流程,并以最少的设计迭代次数。
测试在 Burn-In (TDBI) 期间进行,而不是在 Burn-In 之前和之后使用 ATE 进行测试。收集和分析可靠性数据以改进过程。根据结果,TDBI 的小时数逐渐减少,取而代之的是从生产批次中抽取样本的过程监控。
加利福尼亚
ELES Semiconductor Inc.
Mr. Marco Paolucci
德克萨斯州、俄克拉荷马州、阿肯色州、路易斯安那州、墨西哥
Crockett Southwest Company LLC
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Mr. Emil Schreck
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手机号码:+1 214-676-1787
东海岸,新英格兰
Semiconductor Test Supply, LLC
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北加州
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9 Pahang Street Singapore 196610
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jonsan.lim@eles.com
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中华民国
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韩国
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